檢索結果：共13筆資料 檢索策略： "氧".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="濺鍍"
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本研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2及玻璃基板上以三種氬氧氣體比例在基板溫度300C下沉積氧化銅及摻鋁氧化銅薄膜，探討氣體流量及摻鋁濃度(0~10 at.%)對所沉積薄膜之影響。研究結果顯示當…
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本研究利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下製備光電陰極及光電陽極之薄膜。 在光電陰極的部分本研究利用矽基板為基材，對其以磁控濺鍍法進行 In2O3 薄膜披覆，其主要目的是希望在酸性電解液中有優異的析氫能…
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本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中，並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材，經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜，期望藉由…
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本研究以Al與Al(Cu 5wt%)靶材濺鍍沉積下電極層，以RF與MW電漿氧化的方式成長電阻層，上電極皆以Al濺鍍，製成Al/AlOx/Al、Al/AlOx+CuOx/Al(Cu 5wt%)三層結構…
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本研究探討以離子束濺鍍法，沉積摻鉺氧化鋅薄膜(Erbium-doped ZnO, EZO)之特性。我們以層狀方式沉積EZO薄膜，藉退火使鉺與氧化鋅混合。實驗中，成功的以325 nm之He-Cd雷射，…
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本研究利用射頻電漿濺鍍沉積氧化銦錫(ITO)薄膜於水溶性高分子polystyrene sulfonate (PSS)上，以翻膜轉印之技術將ITO薄膜轉移至有機高分子材料表面，作為有機光電元件之透明電…
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本研究利用磁控濺鍍技術，製備釔安定氧化鋯(8YSZ)薄膜於不同基板上，並觀察不同製程條件下對電性變化的影響，8YSZ薄膜是否具備高離子導電效率的議題一直以來備受爭議，本文利用不同疊構設計來確認8YS…
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本論文以實驗室自行壓製硫氧化物電解質靶材，採用RF反應式濺鍍法進行製備氧硫化物電解質的Li2SnOS薄膜，欲將硫化物電解質之高離子傳導性與氧化物電解質之穩定性相結合，得到兼顧化學安定與高鋰離子傳導的…
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本論文研究主要分為兩大部分，第一部份以Ni-YSZ碟型基材作為陽極支撐(anode-supported)，第二部份以YSZ碟型基材作為電解質支撐(electrolyte -supported)，利用…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材，採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜，以N取代O的位置，期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中，觀察在不同氧氣…